工艺和设计能力
01 先进的工艺技术
- 宽电压范围：-100VDS至200VDS沟槽MOS，200VDS至1500VDS平面MOS，600至800V超结MOS, 600V至1200V IGBT
- 低内阻，高集成度，降低功耗：0.12 mΩ/cm², world class RDS *Area 133Mcell/in² closed cell density.
- 优异的开关特性：World class RG, Qg, trr, Crss / Ciss
02 先进的封装技术
- 出货 >100MU/Mo of 工业级封装 | 持续开发更新的封装
03 设计公司+晶圆代工模式
- 使用8寸&12寸晶圆制造产品 | 高集成度产品制造能力 | 高可靠性，相对低的成本 利用先进的设备平台，使用先进的生产工艺
封装能力
恩博芯专注于通过应用更先进的bonding技术，开发更大电流和更低导通阻抗的产品 !
Cu Wire Bonding
Al Wire Bonding
Ribbon Bonding
Cu Clip Bonding
